Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM70N600CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM70N600CH

TSM70N600CH C5G Hakkında

TSM70N600CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source voltajında 8A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç kontrolü ve anahtarlama işlevlerinde kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde gelen komponent, endüstriyel kontrol devrelerine, güç kaynakları, enerji dönüştürücülerine ve motor sürücülerine entegre edilir. 10V gate-source voltajında 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 83W güç saçma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 743 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok