Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM70N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM70N1R4CH

TSM70N1R4CH C5G Hakkında

TSM70N1R4CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 700V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.4Ω (10V, 1.2A koşullarında) maksimum on-direnç değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 7.7nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. 38W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devrelerinde kullanım alanı bulur. Parça, yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok