Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM6NB60CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM6NB60CZ
TSM6NB60CZ C0G Hakkında
TSM6NB60CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 10V gate geriliminde 1.6Ω maksimum on-direnç ve 40W maksimum güç tüketimi özellikleriyle, verimli anahtarlama operasyonları sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Through-hole montajı ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 872 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok