Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM6NB60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 6A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM6NB60CI
TSM6NB60CI C0G Hakkında
TSM6NB60CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 izole tab paketlemesi ile termal yönetimi kolaylaştırılmıştır. 1.6Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama kayıpları minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığına sahiptir. İnverter, güç kaynağı, motor kontrol ve anahtarlamalı güç devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maximum 40W güç disipasyonu kapasitesi ile uygun soğutma koşullarında güvenli işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 872 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok