Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM6N60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM6N60CP
TSM6N60CP ROG Hakkında
TSM6N60CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve gerilim dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 1.25Ω maksimum kanal direnci (Rds On) ve ±30V gate gerilim aralığı ile geniş bir uygulama yelpazesine sahiptir. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında 89W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1248 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok