Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM6N60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM6N60CH
TSM6N60CH C5G Hakkında
TSM6N60CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç denetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda yer bulur. 1.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. ±30V gate gerilimi kapasitesine sahip, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1248 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok