Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM6N50CH C5G
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM6N50CH
TSM6N50CH C5G Hakkında
TSM6N50CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, invertörler, AC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında çalışır. TO-251-3 (IPak) gövde tipinde sunulan bileşen, 90W güç dissipasyonuna kadar tolere edebilir. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. ±30V gate voltajı aralığı ve 4V threshold voltajı standart sürücü devrelerle uyumlu çalışmayı mümkün kılar. 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine uyygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok