Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM680P06CZ C0G

MOSFET P-CH 60V 18A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM680P06CZ

TSM680P06CZ C0G Hakkında

TSM680P06CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim desteği ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 68mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Maksimum 42W güç tüketimi desteği bulunmaktadır. Not: Bu ürün yaşamını tamamlamış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin kullanılması önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok