Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM650P03CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM650P03CX
TSM650P03CX RFG Hakkında
TSM650P03CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 paketinde tedarik edilmektedir. 65mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile 10V gate geriliminde optimize edilen transistör, 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Maksimum 1.56W güç tüketimi kapasitesiyle analog anahtarlama, motor kontrol, güç yönetimi ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılabilir. ±12V maksimum gate gerilimi ve 6.4nC gate yükü, hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok