Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM650P02CX
TSM650P02CX RFG Hakkında
TSM650P02CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.1A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 65mOhm maksimum Rds(on) değeri düşük kayıp sağlar. SOT-23 (TO-236-3) paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, batarya yönetim sistemleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. ±10V gate gerilimi sınırlamalarında çalışır ve -40°C ile +150°C arasında işletilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok