Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM60NC1R5CH C5G

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM60NC1R5CH

TSM60NC1R5CH C5G Hakkında

TSM60NC1R5CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi gören bir güç transistörüdür. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 39W güç dağıtabilir. 7.6nC gate charge değeri hızlı anahtar geçişi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 242 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok