Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB900CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB900CP
TSM60NB900CP ROG Hakkında
TSM60NB900CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 4A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-252 (D-Pak) kütüphanesinde sunulan komponent, 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel invertörler, SMPS devreleri, motor kontrolü ve güç yönetim sistemlerinde kullanım için uygundur. Maksimum 36.8W güç tüketimi ve ±30V Vgs toleransı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok