Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB190CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB190CZ
TSM60NB190CZ C0G Hakkında
TSM60NB190CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V, 18A kapasiteli N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında açma-kapama kontrolü sağlamak amacıyla tasarlanmıştır. 190mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi güç elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, 33.8W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. ±30V gate voltaj aralığında çalışır ve 4V threshold voltajında açılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1273 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok