Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB190CM2 RNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB190CM2
TSM60NB190CM2 RNG Hakkında
TSM60NB190CM2 RNG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150.6W maksimum güç dissipasyonu ve 190mΩ RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortam koşullarında güvenilir operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1273 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok