Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB190CF C0G
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB190CF
TSM60NB190CF C0G Hakkında
TSM60NB190CF C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 18A sürekli dren akımı ve 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 600V drain-source gerilim derecelendirmesi, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlama düzenekleri ve motor kontrol sistemlerinde etkin bir şekilde çalışmasını sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında 59.5W maksimum güç tüketebilir. ±30V gate gerilim toleransı ve 32nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1311 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok