Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB099PW
TSM60NB099PW C1G Hakkında
TSM60NB099PW C1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 38A sürekli dren akımı ve 99mΩ RDS(on) değeriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Gate charge 62nC ve input capacitance 2587pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2587 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 329W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 11.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok