Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB099CZ
TSM60NB099CZ C0G Hakkında
TSM60NB099CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak işlev görür. 99mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC/DC dönüştürücüler, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 298W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek enerji uygulamalarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2587 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 298W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok