Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60NB041PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60NB041PW
TSM60NB041PW C1G Hakkında
TSM60NB041PW C1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paket içerisinde sunulan bu bileşen, maksimum 78A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 41mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlayan transistör, anahtarlama devreleri, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında 446W güç saçılabilir. ±30V maksimum gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile kontrol ve koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 78A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6120 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 446W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 21.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok