Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60N900CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60N900CH
TSM60N900CH C5G Hakkında
TSM60N900CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç seviyesindeki anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 900mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. TO-251 (IPAK) paketine sahip olan komponent, 50W maksimum güç disipasyonuna dayanıklıdır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. SMPS, konvertörler, motor kontrol devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında yer bulur. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif değerlendirmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok