Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60N600CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60N600CP
TSM60N600CP ROG Hakkında
TSM60N600CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik motor kontrolü gibi alanlarda yer bulur. 600mΩ maksimum Ron (10V gate geriliminde) ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 83W maksimum güç saçabilir. Gate charge özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 743 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok