Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM60N380CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM60N380CZ

TSM60N380CZ C0G Hakkında

TSM60N380CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü gerilimine karşı 380mΩ maksimum on-direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel denetim sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 125W güç dağılım kapasitesi ile orta güç seviyelinde anahtarlama işlemlerine uygundur. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok