Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM60N1R4CP ROG
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM60N1R4CP
TSM60N1R4CP ROG Hakkında
TSM60N1R4CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 38W maksimum güç dağıtımına dayanıklıdır. ±30V kapı gerilimi ve 7.7nC gate charge karakteristiği ile hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok