Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM60N06CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TSM60N06CP

TSM60N06CP ROG Hakkında

TSM60N06CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 66A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan transistör, 7.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, enerji kaynağı üniteleri ve güç anahtarlama sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletme sunmakta olup, maksimum 44.6W güç dağıtabilir. 81nC gate charge ve 4382pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4382 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok