Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM600N25ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM600N25ECH
TSM600N25ECH C5G Hakkında
TSM600N25ECH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 600mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimliliği optimize eder. ±30V gate-source gerilim kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sunar. 52W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok