Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4ND65CI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4ND65CI
TSM4ND65CI Hakkında
TSM4ND65CI, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 4A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilmektedir. 2.6Ω maksimum on-state direnci ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Gate charge değeri 16.8nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Gizli kütüphane tabanlı tasarımlarında ve düşük sıcaklık ortamlarında çalışan endüstriyel uygulamalara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 596 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok