Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4ND60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4ND60CI
TSM4ND60CI C0G Hakkında
TSM4ND60CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.2Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Gate charge değeri 17.2nC ve input capacitance 582pF olup, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kontrolü, motor sürücüleri, switching power supplies ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Maksimum 41.6W güç tüketimi ve ±30V gate gerilimi sınırlaması ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 582 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 41.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok