Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4NC60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4NC60CI
TSM4NC60CI C0G Hakkında
TSM4NC60CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 full pack, izole tab konfigürasyonunda sunulan komponent, 10V drive voltajında 2.5Ohm maksimum RDS(on) değeri gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 40W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Gate charge değeri 18nC @ 10V, input kapasitans 654pF @ 50V'dır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. Bileşen halen üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 654 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok