Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4NB65CI C0G
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4NB65CI
TSM4NB65CI C0G Hakkında
TSM4NB65CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. TO-220-3 Full Pack Isolated Tab paketlemesiyle monte edilir. Vgs(th) eşik gerilimi 4.5V olup, 10V gate sürü geriliminde maksimum 3.37Ω on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 70W güç disipasyonuna kadir. Input kapasitansı 549pF, gate yükü 13.46nC değerlerindedir. Enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 549 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.37Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok