Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM4NB65CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM4NB65CH

TSM4NB65CH C5G Hakkında

TSM4NB65CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 4A sürekli drenaj akımı ve 3.37Ω maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. Yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 70W güç dağıtabilir. 10V gate sürü voltajında optimal performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 549 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.37Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok