Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4NB60CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4NB60CZ
TSM4NB60CZ C0G Hakkında
TSM4NB60CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 50W güç dağıtabilir. Gate eşik gerilimi 4.5V'tur. Yüksek gerilim uygulamalarında güvenilir anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok