Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4NB60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4NB60CI
TSM4NB60CI C0G Hakkında
TSM4NB60CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 kasa tipinde monte edilen bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 2.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işletilmesi önerilir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 14.5nC gate charge ve 500pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok