Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4N90CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4N90CZ
TSM4N90CZ C0G Hakkında
TSM4N90CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile güç elektroniği devreleri, elektrik çevirici uygulamaları ve anahtarlama devreleri tasarımında yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 38.7W maksimum güç saçıtma kapasitesi ile indüktif yükleme uygulamalarında tercih edilir. Kompakt through-hole montajı sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok