Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 4A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4N90CI
TSM4N90CI C0G Hakkında
TSM4N90CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 25 nC gate charge ve 955 pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. Halen üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok