Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM4N70CI C0G

MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM4N70CI

TSM4N70CI C0G Hakkında

TSM4N70CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. 3.3Ω maximum RDS(on) değeri ve 10V gate-source sürüş gerilimi ile verimli operasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Bileşen özel yapısında izole tab'ı nedeniyle ısıl uygulamalara elverişlidir. Not: Bu ürün piyasada kullanımdan kaldırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 595 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok