Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4N60ECP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4N60ECP
TSM4N60ECP ROG Hakkında
TSM4N60ECP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±30V gate-source voltaj aralığında çalışabilir ve 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında güvenli operasyon yapabilir. 12nC gate charge ve 545pF input capacitance değerleri ile sürücü devre tasarımında dikkate alınmalıdır. 86.2W maksimum güç dağılımı kapasitesi, uygun ısı yönetimi koşullarında desteklenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok