Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM4N60ECH
TSM4N60ECH C5G Hakkında
TSM4N60ECH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 2.5Ω RDS(on) değerine sahiptir. 12nC gate şarjı ve 545pF giriş kapasitesi sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 150°C üst sıcaklık sınırı ve 86.2W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş işletim aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok