Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM480P06CH X0G

MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM480P06CH

TSM480P06CH X0G Hakkında

TSM480P06CH X0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bileşen, 48mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. -50°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve yük yönetimi gibi uygulamalarda tercih edilir. 22.4nC gate charge ve 1250pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Through-hole montajı sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok