Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM3N90CZ C0G

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM3N90CZ

TSM3N90CZ C0G Hakkında

TSM3N90CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltajında 2.5A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 5.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. Gate charge 17nC ve giriş kapasitansi 748pF ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 94W güç tüketebilmektedir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç değiştiricilerinde, anahtarlama devreleri ve inverter tasarımlarında kullanılır. Vgs ±30V aralığında çalışır ve 4V kapı eşik voltajına sahiptir. Through-hole montajla PCB'ye kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 748 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok