Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM3N90CP ROG

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TSM3N90CP

TSM3N90CP ROG Hakkında

TSM3N90CP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile etkili anahtarlama performansı sağlar. 17nC gate charge ve 748pF input capacitance özellikleri ile kontrollü geçiş sürelerine sahiptir. ±30V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. Endüstriyel invertör devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 94W güç dağıtabilir. Parça güncel üretimde bulunmamakta ve eski tasarımlar için referans olarak değerlendirilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 748 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok