Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM3N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM3N90CI
TSM3N90CI C0G Hakkında
TSM3N90CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devrelerinde ve inverter uygulamalarında yer alabilir. 5.1Ohm maksimum RDS(ON) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 94W güç yayabilmektedir. ±30V gate-source gerilimi aralığında kullanılabilen bu bileşen, anahtarlama hızı ve kontrol özellikleri bakımından endüstriyel elektronik ve enerji dönüştürme sistemleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 748 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok