Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM3N90CH C5G

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM3N90CH

TSM3N90CH C5G Hakkında

TSM3N90CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 94W güç tüketimine dayanabilir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 5.1Ω olup, 17nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, SMPS, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtar uygulamalarında tercih edilir. Cihaz obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 748 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok