Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM3N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM3N80CZ
TSM3N80CZ C0G Hakkında
TSM3N80CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 4.2Ω maksimum on-resistance (10V, 1.5A'da) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürme uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge'ı 19nC ve input capacitance'ı 696pF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 696 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok