Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM3N80CI C0G

MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM3N80CI

TSM3N80CI C0G Hakkında

TSM3N80CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.2Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde 1.5A'de) ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtar devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. NOT: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 696 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok