Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM300NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM300NB06CR
TSM300NB06CR RLG Hakkında
TSM300NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile (Ta @ 25°C) tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 8-PowerTDFN SMD paketi ile yüksek entegrasyon sağlayan bu bileşen; güç yönetimi, PWM kontrol devreleri, anahtarmalı güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok