Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2NB65CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2NB65CH
TSM2NB65CH X0G Hakkında
TSM2NB65CH X0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 5Ω'dur. Gate charge karakteristiği 13nC olup, 10V kapı gerilimi ile çalışır. ±20V maksimum kapı gerilimi ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında 65W güç dağıtabilir. Yüksek voltajlı DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok