Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2N7000KCT B0G
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2N7000KCT
TSM2N7000KCT B0G Hakkında
TSM2N7000KCT, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 60V Drain-Source gerilimi ve 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 0.4nC gate charge ve 7.32pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, analog anahtarlama, sinyal kontrol ve düşük gücü uygulamalar için tercih edilir. Devre tasarımında küçük sinyallerin kontrolü veya kontrol mantığı devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok