Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2N7000KCT A3G
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2N7000
TSM2N7000KCT A3G Hakkında
TSM2N7000KCT A3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drenaj akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu, lojik seviyeleri kontrol ve mikrodenetleyici çıkışlarının sürülmesi gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate gerilimi ile 5Ω maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Hobi elektronik, endüstriyel otomasyon ve gömülü sistem projelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.32 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok