Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2N60SCW
TSM2N60SCW RPG Hakkında
TSM2N60SCW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim desteği ve 600mA sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevleri gerçekleştirir. 10V kapı geriliminde 5Ohm Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimuma indirilmiştir. SOT-223 yüzey montaj paketi, kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok