Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2N60ECP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2N60ECP
TSM2N60ECP ROG Hakkında
TSM2N60ECP ROG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj (Vdss) ve 2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda maksimum 52.1W güç yayabilir. Gate charge değeri 9.5nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Açık-kapalı (switching) kontrol gerektiren endüstriyel devrelerde, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 362 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok