Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2N100CH
TSM2N100CH C5G Hakkında
TSM2N100CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj ve 1.85A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 8.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 77W maksimum güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 77W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok